BSB053N03LP G

Številka izdelka proizvajalca:

BSB053N03LP G

Product Overview

Proizvajalec:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Številka dela:

BSB053N03LP G-DG

Opis:

MOSFET N-CH 30V 17A/71A 2WDSON

Podroben opis:

N-Channel 30 V 17A (Ta), 71A (Tc) 2.3W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™

Zaloga:

Povpraševanje po cenah na spletu

12841842

Zahtevaj ponudbo

Količina
Minimun 1

(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah

POŠTITE

BSB053N03LP G Tehnične specifikacije

Kategorija

FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i

Proizvajalec

Infineon Technologies

Pakiranje

-

Serije

OptiMOS™

Stanje izdelka

Obsolete

Vrsta FET

N-Channel

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do napetosti vira (vdss)

30 V

Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C

17A (Ta), 71A (Tc)

Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)

4.5V, 10V

RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs

5.3mOhm @ 30A, 10V

vgs(th) (maks) @ id

2.2V @ 250µA

Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs

29 nC @ 10 V

Vgs (maks)

±20V

Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds

2700 pF @ 15 V

Funkcija FET

-

Odvajanje moči (maks.)

2.3W (Ta), 42W (Tc)

Delovna temperatura

-40°C ~ 150°C (TJ)

Vrsta montaže

Surface Mount

Paket naprav dobavitelja

MG-WDSON-2, CanPAK M™

Paket / Primer

3-WDSON

Tehnični list in dokumenti

HTML tehnični list

BSB053N03LP G-DG

Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena

BSB053N03LP G-DG

BSB053N03LPG

SP000597830

Standardni paket

5,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)

3 (168 Hours)

Stanje uredbe REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Sorodni izdelki

onsemi

NVMFS5C450NLAFT3G

MOSFET N-CH 40V 27A/110A 5DFN

onsemi

RFP8P05

MOSFET P-CH 50V 8A TO220-3

onsemi

SFF9250L

MOSFET P-CH 200V 12.6A TO3PF

onsemi

NTD65N03R-1G

MOSFET N-CH 25V 9.5A/32A IPAK